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功率MOS管不為人知的資訊

      

      功率MOS管有N溝道和P溝道兩類,每一類又分為增強型和耗盡型兩種,凡柵極-源極電壓為零時漏極電流也為零的管子,均屬于增強型管;凡凡柵極-源極電壓為零時漏極電流不為零的管子,均屬于耗盡型管。電路中常用增強型MOS管,其工作原理:當柵極-源極電壓變化時,將改變襯底靠近絕緣層處感應電荷的多少,從而操控漏極電流的大小。
  根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓操控型器件
  概念:
  場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓操控型半導體器件。
  特點:
  具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

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